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      微电子技术光刻所用的基材是大约厚0.5 mm、半径2cm以上的硅片(现在最大的硅片半径可达15cm),在其表面可以覆盖上一层金属或者氧化硅、氮化硅。光刻的主要对象是二氧化硅,下面以刻蚀二氧化硅为例来说明光刻工艺的基本步骤(图12-1)。首先在硅片上氧化或沉积一层二氧化硅(被加工表面),然后涂布一层光敏高分子材料即光

      ,在其表面可以覆盖上一层金属或者氧化硅、氮化硅。光刻的主要对象是二氧化硅,下面以刻蚀二氧化硅为例来说明光刻工艺的基本步骤(图

      )。首先在硅片上氧化或沉积一层二氧化硅(被加工表面),然后涂布一层光敏高分子材料即光刻胶,烘干后加一块有电路图形的掩模(即底片),并用紫外光曝光。由于光化学作用,曝光区和非曝光区上的光刻胶溶解度发生变化,利用合适的溶剂除去可溶部分(即显影),所得图形经烘干(后烘)后用氢氟酸将裸露二氧化硅腐蚀掉,最后除去残留的光刻胶,于是硅片上便得到一个与掩模相反或一致的图形,前者称为负图形(负胶,

    光刻工艺及光刻胶的身手参数

      光刻胶的技术参数主要包括:①分辨率:区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。②对比度:指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好,形成图形的侧壁越陡峭,分辨率越好。③敏感度:光刻胶上产生一个良好图形所需一定波长光的最小能量值(或最小曝光量),单位为。④黏滞性和表面张力:都是衡量光刻胶流动特性的参数。黏滞性随着光刻胶中溶剂的减少而增加;黏滞性越小,光刻胶厚度就越均匀。光刻胶应该具有比较小的表面张力,使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。⑤粘附性:表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。光刻胶的粘附性必须经受得住后续工艺(刻蚀、离子注入等)。⑥抗蚀性:光刻胶必须保持它的粘附性,在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。⑦存储和传送:能量(光和热)可以激活光刻胶。应该在密闭、低温、不透光的环境中存储。同时必须规定光刻胶的闲置期限和存储温度环境,一旦超过存储时间或较高的温度范围,负胶会发生交联,正胶会发生感光延迟。

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    光刻技术
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    2019-10-20 00:18
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